Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > MAP6KE120A
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
4826981

MAP6KE120A

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    MAP6KE120A
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 102V 165V T-18
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    MAP6KE120A.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    102V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    165V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    114V
  • Unidirektionale Kanäle
    1
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    T-18
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    600W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    T-18, Axial
  • Andere Namen
    1086-4489
    1086-4489-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    3.6A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Anwendungen
    General Purpose

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "MAP6KE120A" -Einziper.
MAP6KE110AE3

MAP6KE110AE3

Beschreibung: TVS DIODE 94V 152V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE130CA

MAP6KE130CA

Beschreibung: TVS DIODE 111V 179V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE110CAE3

MAP6KE110CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 94V 152V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE10CA

MAP6KE10CA

Beschreibung: TVS DIODE 8.55V 14.5V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE120CA

MAP6KE120CA

Beschreibung: TVS DIODE 102V 165V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE12AE3

MAP6KE12AE3

Beschreibung: TVS DIODE 10.2V 16.7V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE11CA

MAP6KE11CA

Beschreibung: TVS DIODE 9.4V 15.6V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE12CAE3

MAP6KE12CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 10.2V 16.7V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE130AE3

MAP6KE130AE3

Beschreibung: TVS DIODE 111V 179V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE11CAE3

MAP6KE11CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 9.4V 15.6V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE130A

MAP6KE130A

Beschreibung: TVS DIODE 111V 179V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE10CAE3

MAP6KE10CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 8.55V 14.5V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE110CA

MAP6KE110CA

Beschreibung: TVS DIODE 94V 152V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE120CAE3

MAP6KE120CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 102V 165V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE120AE3

MAP6KE120AE3

Beschreibung: TVS DIODE 102V 165V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE11AE3

MAP6KE11AE3

Beschreibung: TVS DIODE 9.4V 15.6V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE12A

MAP6KE12A

Beschreibung: TVS DIODE 10.2V 16.7V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE11A

MAP6KE11A

Beschreibung: TVS DIODE 9.4V 15.6V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE12CA

MAP6KE12CA

Beschreibung: TVS DIODE 10.2V 16.7V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE110A

MAP6KE110A

Beschreibung: TVS DIODE 94V 152V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.