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MAP6KE120AE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MAP6KE120AE3
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 102V 165V T-18
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    MAP6KE120AE3.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    102V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    165V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    114V
  • Unidirektionale Kanäle
    1
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    T-18
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    600W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    T-18, Axial
  • Andere Namen
    1086-4490
    1086-4490-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    3.6A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Anwendungen
    General Purpose

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Das Folgende sind "MAP6KE120AE3" -Einziper.
MAP6KE120CA

MAP6KE120CA

Beschreibung: TVS DIODE 102V 165V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE130A

MAP6KE130A

Beschreibung: TVS DIODE 111V 179V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE120CAE3

MAP6KE120CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 102V 165V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE130CAE3

MAP6KE130CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 111V 179V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE11CAE3

MAP6KE11CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 9.4V 15.6V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE110AE3

MAP6KE110AE3

Beschreibung: TVS DIODE 94V 152V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE12CA

MAP6KE12CA

Beschreibung: TVS DIODE 10.2V 16.7V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE10CAE3

MAP6KE10CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 8.55V 14.5V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE110CAE3

MAP6KE110CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 94V 152V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE12AE3

MAP6KE12AE3

Beschreibung: TVS DIODE 10.2V 16.7V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE130CA

MAP6KE130CA

Beschreibung: TVS DIODE 111V 179V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE11CA

MAP6KE11CA

Beschreibung: TVS DIODE 9.4V 15.6V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE12A

MAP6KE12A

Beschreibung: TVS DIODE 10.2V 16.7V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE110CA

MAP6KE110CA

Beschreibung: TVS DIODE 94V 152V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE130AE3

MAP6KE130AE3

Beschreibung: TVS DIODE 111V 179V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE120A

MAP6KE120A

Beschreibung: TVS DIODE 102V 165V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE12CAE3

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Beschreibung: TVS DIODE 10.2V 16.7V T-18

Hersteller: Microsemi
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MAP6KE11A

MAP6KE11A

Beschreibung: TVS DIODE 9.4V 15.6V T-18

Hersteller: Microsemi
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MAP6KE11AE3

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Beschreibung: TVS DIODE 9.4V 15.6V T-18

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MAP6KE110A

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