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MP6KE9.1A

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MP6KE9.1A
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    1
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    8.65V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    7.78V
  • Spannung - Durchschlag
    T-18
  • Art
    Zener
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • RoHS Status
    Bulk
  • Ripple Current - Low Frequency
    General Purpose
  • Stromleitungsschutz
    600W
  • Power - Peak Pulse
    45A
  • Polarisation
    T-18, Axial
  • Andere Namen
    1086-7146
    1086-7146-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    MP6KE9.1A
  • Beschreibung
    TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    13.4V
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    No

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MP6KE91CA

MP6KE91CA

Beschreibung: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE91CAE3

MP6KE91CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6M14TCR

MP6M14TCR

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
MP6KE8.2CA

MP6KE8.2CA

Beschreibung: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE9.1CAE3

MP6KE9.1CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE8.2CAE3

MP6KE8.2CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE75CA

MP6KE75CA

Beschreibung: TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE82AE3

MP6KE82AE3

Beschreibung: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6M11TCR

MP6M11TCR

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
MP6KE9.1AE3

MP6KE9.1AE3

Beschreibung: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6M12TCR

MP6M12TCR

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
MP6KE8.2A

MP6KE8.2A

Beschreibung: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE91AE3

MP6KE91AE3

Beschreibung: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE82CA

MP6KE82CA

Beschreibung: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE8.2AE3

MP6KE8.2AE3

Beschreibung: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
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MP6KE82A

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Beschreibung: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
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MP6KE91A

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Beschreibung: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
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MP6KE82CAE3

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Beschreibung: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
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MP6KE75CAE3

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Beschreibung: TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
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