Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > MP6M14TCR
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
2867371MP6M14TCR-Bild.LAPIS Semiconductor

MP6M14TCR

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    MP6M14TCR
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MP6M14TCR.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Supplier Device-Gehäuse
    MPT6
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 8A, 10V
  • Leistung - max
    2W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    6-SMD, Flat Leads
  • Andere Namen
    MP6M14TCRTR
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    470pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.3nC @ 5V
  • Typ FET
    N and P-Channel
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate, 4V Drive
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 8A, 6A 2W Surface Mount MPT6
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    8A, 6A
  • Basisteilenummer
    *M14

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "MP6M14TCR" -Einziper.
MP6KE82A

MP6KE82A

Beschreibung: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6Z13TR

MP6Z13TR

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 3A 6MPT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
MP6KE91CA

MP6KE91CA

Beschreibung: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE8.2AE3

MP6KE8.2AE3

Beschreibung: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE8.2CAE3

MP6KE8.2CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE82AE3

MP6KE82AE3

Beschreibung: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE9.1CAE3

MP6KE9.1CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE8.2A

MP6KE8.2A

Beschreibung: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE9.1AE3

MP6KE9.1AE3

Beschreibung: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE8.2CA

MP6KE8.2CA

Beschreibung: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE82CA

MP6KE82CA

Beschreibung: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE91A

MP6KE91A

Beschreibung: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6M11TCR

MP6M11TCR

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
MP6KE91AE3

MP6KE91AE3

Beschreibung: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE82CAE3

MP6KE82CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6M12TCR

MP6M12TCR

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
MP6KE75CAE3

MP6KE75CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE9.1CA

MP6KE9.1CA

Beschreibung: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE9.1A

MP6KE9.1A

Beschreibung: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MP6KE91CAE3

MP6KE91CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.