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Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > MXSMCJ100A
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6239509MXSMCJ100A-Bild.Microsemi Corporation

MXSMCJ100A

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MXSMCJ100A
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 100VWM 162VC DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    MXSMCJ100A.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    1
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    111V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    100V
  • Spannung - Durchschlag
    DO-214AB (SMCJ)
  • Art
    Zener
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • RoHS Status
    Bulk
  • Ripple Current - Low Frequency
    General Purpose
  • Stromleitungsschutz
    1500W (1.5kW)
  • Power - Peak Pulse
    9.3A
  • Polarisation
    DO-214AB, SMC
  • Andere Namen
    1086-14485
    1086-14485-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    MXSMCJ100A
  • Beschreibung
    TVS DIODE 100VWM 162VC DO214AB
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    162V
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    No

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Das Folgende sind "MXSMCJ100A" -Einziper.
MXSMCJ100CA

MXSMCJ100CA

Beschreibung: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMCJ10A

MXSMCJ10A

Beschreibung: TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXSMCJ100CAE3

MXSMCJ100CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMCJ10AE3

MXSMCJ10AE3

Beschreibung: TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXSMCGLCE80AE3

MXSMCGLCE80AE3

Beschreibung: TVS DIODE 80V 129V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMCGLCE80A

MXSMCGLCE80A

Beschreibung: TVS DIODE 80V 129V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMCJ10CAE3

MXSMCJ10CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 10V 17V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMCGLCE8.5A

MXSMCGLCE8.5A

Beschreibung: TVS DIODE 8.5V 14.4V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMCJ110A

MXSMCJ110A

Beschreibung: TVS DIODE 110VWM 177VC DO214AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXSMCJ10CA

MXSMCJ10CA

Beschreibung: TVS DIODE 10V 17V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMCGLCE9.0AE3

MXSMCGLCE9.0AE3

Beschreibung: TVS DIODE 9V 15.4V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMCGLCE8.0AE3

MXSMCGLCE8.0AE3

Beschreibung: TVS DIODE 8V 13.6V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMCGLCE8.0A

MXSMCGLCE8.0A

Beschreibung: TVS DIODE 8V 13.6V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMCGLCE90A

MXSMCGLCE90A

Beschreibung: TVS DIODE 90V 146V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMCGLCE8.5AE3

MXSMCGLCE8.5AE3

Beschreibung: TVS DIODE 8.5V 14.4V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMCJ110AE3

MXSMCJ110AE3

Beschreibung: TVS DIODE 110VWM 177VC DO214AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXSMCGLCE9.0A

MXSMCGLCE9.0A

Beschreibung: TVS DIODE 9V 15.4V DO215AB

Hersteller: Microsemi
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RFQ
MXSMCJ110CA

MXSMCJ110CA

Beschreibung: TVS DIODE 110V 177V DO214AB

Hersteller: Microsemi
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MXSMCGLCE90AE3

MXSMCGLCE90AE3

Beschreibung: TVS DIODE 90V 146V DO215AB

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MXSMCJ100AE3

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Beschreibung: TVS DIODE 100VWM 162VC DO214AB

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