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A2T09D400-23NR6

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  • Artikelnummer
    A2T09D400-23NR6
  • Hersteller / Marke
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
    A2T09D400-23NR6.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Prüfung
    28V
  • Spannung - Nennwert
    70V
  • Transistor-Typ
    LDMOS
  • Supplier Device-Gehäuse
    OM-1230-4L2S
  • Serie
    -
  • Leistung
    400W
  • Verpackung / Gehäuse
    OM-1230-4L2S
  • Andere Namen
    935318726528
  • Rauschmaß
    -
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Gewinnen
    17.8dB
  • Frequenz
    716MHz ~ 960MHz
  • detaillierte Beschreibung
    RF Mosfet LDMOS 28V 1.2A 716MHz ~ 960MHz 17.8dB 400W OM-1230-4L2S
  • Aktuelle Bewertung
    10µA
  • Strom - Test
    1.2A

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A2T08VD020NT1

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Beschreibung: AF3IC 800MHZ 20W PQFN8X8

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A2T18H100-25SR3

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Beschreibung: FET RF 2CH 65V 1.81GHZ

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A2T07D160W04SR3

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Beschreibung: FET RF 2CH 70V 803MHZ

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
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Beschreibung: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
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A2T18S160W31SR3

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Beschreibung: IC TRANS RF LDMOS

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A2T18H450W19SR6

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Beschreibung: IC TRANS RF LDMOS

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A2T18S166W12SR3

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Beschreibung: FET RF 1.8GHZ 166W NI-780S-2L2

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A2T14H450-23NR6

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Beschreibung: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
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A2T18S165-12SR3

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Beschreibung: FET RF 2CH 70V 880MHZ

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