BUK9E1R9-40E,127

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Spezifikation

Artikelnummer

BUK9E1R9-40E,127
Hersteller / Marke

Freescale / NXP Semiconductors
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 40V I2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

-
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

I2PAK
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

-
Verlustleistung (max)

-
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Andere Namen

568-9870-5
934066511127
BUK9E1R940E127
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V Through Hole I2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

-

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Das Folgende sind "BUK9E1R9-40E,127" -Einziper.

BUK9E15-60E,127

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 54A I2PAK

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

vorrätig

BUK9E1R9-40E,127

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