BUK9E4R9-60E,127

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Spezifikation

Artikelnummer

BUK9E4R9-60E,127
Hersteller / Marke

Freescale / NXP Semiconductors
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

I2PAK
Serie

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5 mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max)

234W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Andere Namen

568-9876-5
934066657127
BUK9E4R960E127
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9710pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 100A (Tc) 234W (Tc) Through Hole I2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

100A (Tc)

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Das Folgende sind "BUK9E4R9-60E,127" -Einziper.

BUK9K20-80EX

Beschreibung:

Hersteller: Nexperia

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BUK9E4R9-60E,127

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