PHD23NQ10T,118

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Spezifikation

Artikelnummer

PHD23NQ10T,118
Hersteller / Marke

Freescale / NXP Semiconductors
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PHD23NQ10T,118.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DPAK
Serie

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

70 mOhm @ 13A, 10V
Verlustleistung (max)

100W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

934055697118
PHD23NQ10T /T3
PHD23NQ10T /T3-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1187pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 23A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

23A (Tc)

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Das Folgende sind "PHD23NQ10T,118" -Einziper.

PHD13003C,412

Beschreibung:

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd

vorrätig

PHD23NQ10T,118

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