PHD55N03LTA,118

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Spezifikation

Artikelnummer

PHD55N03LTA,118
Hersteller / Marke

Freescale / NXP Semiconductors
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 25V 55A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PHD55N03LTA,118.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DPAK
Serie

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

14 mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max)

85W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

934056764118
PHD55N03LTA /T3
PHD55N03LTA /T3-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

25V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 25V 55A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

55A (Tc)

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Das Folgende sind "PHD55N03LTA,118" -Einziper.

PHD9NQ20T,118

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK

Hersteller: Nexperia

vorrätig

PHD55N03LTA,118

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