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1743025

PMWD19UN,518

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    PMWD19UN,518
  • Hersteller / Marke
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    PMWD19UN,518.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    700mV @ 1mA
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-TSSOP
  • Serie
    TrenchMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    23 mOhm @ 3.5A, 4.5V
  • Leistung - max
    2.3W
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Andere Namen
    568-2361-6
    PMWD19UN518
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1478pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    28nC @ 5V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.6A 2.3W Surface Mount 8-TSSOP
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    5.6A

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Das Folgende sind "PMWD19UN,518" -Einziper.
IRF7389

IRF7389

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
CSD88584Q5DCT

CSD88584Q5DCT

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 40V 22-VSON-CLIP

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments
vorrätig
RFQ
AO4952

AO4952

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 11A 8-SOIC

Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
vorrätig
RFQ
AO4822AL

AO4822AL

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
PMWD26UN,518

PMWD26UN,518

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
IRF7351TRPBF

IRF7351TRPBF

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SI4818DY-T1-GE3

SI4818DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI4966DY-T1-GE3

SI4966DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
PMWD20XN,118

PMWD20XN,118

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 10.4A 8TSSOP

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
ALD1107SBL

ALD1107SBL

Beschreibung: MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
vorrätig
RFQ
STS10DN3LH5

STS10DN3LH5

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
PMWD16UN,518

PMWD16UN,518

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
CSD87331Q3D

CSD87331Q3D

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments
vorrätig
RFQ
PMWD30UN,518

PMWD30UN,518

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
SI7946ADP-T1-GE3

SI7946ADP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 150V POWERPAK SO8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
STL66DN3LLH5

STL66DN3LLH5

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 78.5A PWRFLAT56

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
APTM10TDUM09PG

APTM10TDUM09PG

Beschreibung: MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
PMWD15UN,518

PMWD15UN,518

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
FDD8424H_F085

FDD8424H_F085

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SIZ300DT-T1-GE3

SIZ300DT-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
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