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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > BAS21/8VL
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1467589BAS21/8VL-Bild.Nexperia

BAS21/8VL

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BAS21/8VL
  • Hersteller / Marke
    Nexperia
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GP 250V 200MA TO236AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
    BAS21/8VL.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.25V @ 200mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    250V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-236AB
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    50ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    934660147235
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 250V 200mA (DC) Surface Mount TO-236AB
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100nA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    200mA (DC)
  • Kapazität @ Vr, F
    5pF @ 0V, 1MHz

New ICs From Rohm, Toshiba, and Nexperia Target Automotive ...

2024/10/9
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Das Folgende sind "BAS21/8VL" -Einziper.
BAS21/8R

BAS21/8R

Beschreibung: DIODE GP 250V 200MA TO236AB

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS21-HE3-18

BAS21-HE3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAS21A RFG

BAS21A RFG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 250V 200MA SOT23

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BAS216,115

BAS216,115

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD2

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
BAS21AHT1G

BAS21AHT1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS21-HE3-08

BAS21-HE3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAS21-7

BAS21-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAS21-E3-08

BAS21-E3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAS21AW,115

BAS21AW,115

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 250V 225MA SOT323

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS21A-TP

BAS21A-TP

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 250V 200MA SOT23

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
BAS216,135

BAS216,135

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD2

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
BAS21-7-F

BAS21-7-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAS21-TP

BAS21-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
BAS21-E3-18

BAS21-E3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAS21AVD,135

BAS21AVD,135

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 200MA 6TSOP

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS21-G3-08

BAS21-G3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAS21-G3-18

BAS21-G3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAS2103WE6327HTSA1

BAS2103WE6327HTSA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BAS21AVD,165

BAS21AVD,165

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 200MA 6TSOP

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS2103WE6433HTMA1

BAS2103WE6433HTMA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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