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3326937BAS21-HE3-18-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

BAS21-HE3-18

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BAS21-HE3-18
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.25V @ 200mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    50ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    BAS21-HE3-18-ND
    BAS21-HE3-18GITR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 200mA Surface Mount SOT-23
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100nA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    200mA
  • Kapazität @ Vr, F
    5pF @ 0V, 1MHz
BAS2103WE6433HTMA1

BAS2103WE6433HTMA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BAS21A-TP

BAS21A-TP

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 250V 200MA SOT23

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
BAS21-E3-18

BAS21-E3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAS21-7

BAS21-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BAS21,215

BAS21,215

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Hersteller: Nexperia
vorrätig
BAS21AHT1G

BAS21AHT1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
BAS21-E3-08

BAS21-E3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAS2103WE6327HTSA1

BAS2103WE6327HTSA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BAS21/8VL

BAS21/8VL

Beschreibung: DIODE GP 250V 200MA TO236AB

Hersteller: Nexperia
vorrätig
BAS21-G3-18

BAS21-G3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAS216,115

BAS216,115

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD2

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
BAS21/8R

BAS21/8R

Beschreibung: DIODE GP 250V 200MA TO236AB

Hersteller: Nexperia
vorrätig
BAS21-G3-08

BAS21-G3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAS21A RFG

BAS21A RFG

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 250V 200MA SOT23

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
BAS21,235

BAS21,235

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Hersteller: Nexperia
vorrätig
BAS21-7-F

BAS21-7-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
BAS216,135

BAS216,135

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD2

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
BAS21 RFG

BAS21 RFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
BAS21-HE3-08

BAS21-HE3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BAS21-TP

BAS21-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
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