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5657434ES1DVRX-Bild.Nexperia

ES1DVRX

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ES1DVRX
  • Hersteller / Marke
    Nexperia
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    ES1DVRX.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    875mV @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOD-123W
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    25ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOD-123W
  • Andere Namen
    1727-7373-2
    934070377115
    ES1DVRX-ND
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 1A Surface Mount SOD-123W
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    200nA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    20pF @ 4V, 1MHz

New ICs From Rohm, Toshiba, and Nexperia Target Automotive ...

2024/10/9
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Zahlung
Das Folgende sind "ES1DVRX" -Einziper.
ES1FHM2G

ES1FHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1FL MQG

ES1FL MQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DV R3G

ES1DV R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DVHM2G

ES1DVHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1F R3G

ES1F R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1F

ES1F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 1A SMA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
ES1DLHRUG

ES1DLHRUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DTR

ES1DTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
ES1F M2G

ES1F M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1FL MHG

ES1FL MHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1FL M2G

ES1FL M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DLW RVG

ES1DLW RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DV M2G

ES1DV M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1ETR

ES1ETR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 1A SMA

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
ES1FL MTG

ES1FL MTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1FL R3G

ES1FL R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DRX

ES1DRX

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
ES1DVHR3G

ES1DVHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DLWHRVG

ES1DLWHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DLHRVG

ES1DLHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
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