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6448755ES1DV M2G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

ES1DV M2G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ES1DV M2G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    ES1DV M2G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    920mV @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AC (SMA)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    15ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Andere Namen
    ES1DV M2G-ND
    ES1DVM2G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    17pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "ES1DV M2G" -Einziper.
ES1F R3G

ES1F R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DVHR3G

ES1DVHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DLHRUG

ES1DLHRUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DV R3G

ES1DV R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DVHM2G

ES1DVHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1FL M2G

ES1FL M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DLHRQG

ES1DLHRQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DLHRTG

ES1DLHRTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1F

ES1F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 1A SMA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
ES1F M2G

ES1F M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DLHRFG

ES1DLHRFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DLW RVG

ES1DLW RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DVRX

ES1DVRX

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
ES1DLHRHG

ES1DLHRHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DLHRVG

ES1DLHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DLWHRVG

ES1DLWHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1DTR

ES1DTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
ES1FHM2G

ES1FHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1ETR

ES1ETR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 1A SMA

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
ES1DRX

ES1DRX

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
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