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PEMD18,115-Bild.

Nexperia

PEMD18,115

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Spezifikation

Artikelnummer

PEMD18,115
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PEMD18,115.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-666
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms
Leistung - max

300mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-563, SOT-666
Andere Namen

934058923115
PEMD18 T/R
PEMD18 T/R-ND
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

13 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

-
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

50 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

1µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

MD18

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PEMB9,315

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

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PEMB9,115

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

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PEMD15,115

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PEMD30,115

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PEMD24,115

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PEMD13,115

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PEMD14,115

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PEMD2,115

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PEMD19,115

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PEMD12,315

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PEMD20,115

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PEMD3,115

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PEMD10,115

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PEMD16,115

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

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