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6037491PEMD20,115-Bild.Nexperia

PEMD20,115

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    PEMD20,115
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  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 10mA
  • Transistor-Typ
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-666
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    2.2 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    2.2 kOhms
  • Leistung - max
    300mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-563, SOT-666
  • Andere Namen
    934058925115
    PEMD20 T/R
    PEMD20 T/R-ND
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    13 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    -
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    30 @ 20mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    1µA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
PEMD19,115

PEMD19,115

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

Hersteller: Nexperia
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PEMD2,115

PEMD2,115

Beschreibung:

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PEMD24,115

PEMD24,115

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PEMD3,115

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PEMD16,115

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PEMD12,315

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PEMD18,115

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PEMD9,115

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PEMD3,315

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PEMD13,115

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PEMD4,115

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PEMD9,315

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PEMD48,115

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PEMD6,115

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