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PEMD20,115-Bild.

Nexperia

PEMD20,115

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Spezifikation

Artikelnummer

PEMD20,115
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PEMD20,115.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-666
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

2.2 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms
Leistung - max

300mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-563, SOT-666
Andere Namen

934058925115
PEMD20 T/R
PEMD20 T/R-ND
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

13 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

-
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

30 @ 20mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

1µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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PEMD19,115

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PEMD2,115

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PEMD24,115

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Hersteller: Nexperia

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PEMD3,115

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PEMD16,115

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PEMD12,315

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PEMD30,315

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PEMD14,115

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PEMD17,115

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PEMD18,115

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PEMD2,315

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PEMD30,115

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PEMD9,115

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PEMD3,315

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PEMD13,115

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PEMD4,115

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PEMD9,315

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PEMD48,115

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PEMD6,115

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