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Nexperia

PMXB56EN

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Artikelnummer

PMXB56EN
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PMXB56EN.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DFN1010D-3
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

55 mOhm @ 3.2A, 10V
Verlustleistung (max)

400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

3-XDFN Exposed Pad
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

209pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.3nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 3.2A (Ta) 400mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.2A (Ta)

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Das Folgende sind "PMXB56EN" -Einziper.

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2N6768

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