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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > PMXB75UPEZ

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PMXB75UPEZ-Bild.

Nexperia

PMXB75UPEZ

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Spezifikation

Artikelnummer

PMXB75UPEZ
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V DFN1010D-3G
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PMXB75UPEZ.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DFN1010D-3
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

85 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Verlustleistung (max)

317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

3-XDFN Exposed Pad
Andere Namen

1727-2314-6
568-12600-6
568-12600-6-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

608pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 2.9A (Ta) 317mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.9A (Ta)

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Das Folgende sind "PMXB75UPEZ" -Einziper.

IPP80N04S204AKSA1

IPP80N04S204AKSA1

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vorrätig

STW10NK60Z

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A TO-247

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

PMXB120EPEZ

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN

Hersteller: Nexperia

vorrätig

C3M0065090J

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7

Hersteller: Cree Wolfspeed

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PMXB40UNEZ

Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN

Hersteller: Nexperia

vorrätig

PMXB120EPE

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN

Hersteller: Nexperia

vorrätig

PMXB56ENZ

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G

Hersteller: Nexperia

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AO6701

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PMXB65ENEZ

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FDN340P

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PMXB40UNE

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Hersteller: Nexperia

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TSM9N90ECZ C0G

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vorrätig

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