SI2304DS,215

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Spezifikation

Artikelnummer

SI2304DS,215
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI2304DS,215.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-236AB (SOT23)
Serie

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

117 mOhm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max)

830mW (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

568-5957-2
934056633215
SI2304DS T/R
SI2304DS T/R-ND
SI2304DS,215-ND
Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

195pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 1.7A (Tc) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1.7A (Tc)

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2024/10/9

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Das Folgende sind "SI2304DS,215" -Einziper.

SI2305ADS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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