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SI2304BDS-T1-E3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI2304BDS-T1-E3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SI2304BDS-T1-E3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    70 mOhm @ 2.5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    750mW (Ta)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    SI2304BDS-T1-E3CT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    33 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    225pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4nC @ 5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 2.6A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    2.6A (Ta)

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SI2303BDS-T1-E3

SI2303BDS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2303BDS-T1-GE3

SI2303BDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2304DS,215

SI2304DS,215

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
SI2303CDS-T1-GE3

SI2303CDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2302CDS-T1-GE3

SI2302CDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2304DDS-T1-GE3

SI2304DDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2305DS-T1-E3

SI2305DS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2304-TP

SI2304-TP

Beschreibung: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
SI2302DDS-T1-GE3

SI2302DDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 20V SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2303-TP

SI2303-TP

Beschreibung: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
SI2304BDS-T1-GE3

SI2304BDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2305B-TP

SI2305B-TP

Beschreibung: P-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
SI2305-TP

SI2305-TP

Beschreibung: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
SI2303BDS-T1

SI2303BDS-T1

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2305CDS-T1-GE3

SI2305CDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2302DS,215

SI2302DS,215

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
SI2303CDS-T1-E3

SI2303CDS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI2305ADS-T1-GE3

SI2305ADS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2306-TP

SI2306-TP

Beschreibung: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
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SI2305ADS-T1-E3

SI2305ADS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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