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2SK3318

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    2SK3318
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V 15A TOP-3F
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TOP-3F-A1
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    460 mOhm @ 7.5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    3W (Ta), 100W (Tc)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TOP-3F
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    3500pF @ 20V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 15A (Tc) 3W (Ta), 100W (Tc) Through Hole TOP-3F-A1
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    15A (Tc)
2SK3320-Y(TE85L,F)

2SK3320-Y(TE85L,F)

Beschreibung: JFET DUAL N-CH USV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK3353-Z-E1-AZ

2SK3353-Z-E1-AZ

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
2SK33720RL

2SK33720RL

Beschreibung: JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P

Hersteller: Panasonic
vorrätig
2SK3320-BL(TE85L,F

2SK3320-BL(TE85L,F

Beschreibung: JFET DUAL N-CH USV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK33720TL

2SK33720TL

Beschreibung: JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P

Hersteller: Panasonic
vorrätig
2SK3342(TE16L1,NQ)

2SK3342(TE16L1,NQ)

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK3309(TE24L,Q)

2SK3309(TE24L,Q)

Beschreibung: MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK3132(Q)

2SK3132(Q)

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P(L)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK3128(Q)

2SK3128(Q)

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A TO-3PN

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK33720SL

2SK33720SL

Beschreibung: JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P

Hersteller: Panasonic
vorrätig
2SK3127(TE24L,Q)

2SK3127(TE24L,Q)

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 45A TO220SM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK3079ATE12LQ

2SK3079ATE12LQ

Beschreibung: MOSF RF N CH 10V PW-X

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK326800L

2SK326800L

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 15A UG-2

Hersteller: Panasonic
vorrätig
2SK3199

2SK3199

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V TO-220F

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
2SK3353-AZ

2SK3353-AZ

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
2SK327700L

2SK327700L

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 2.5A UG-1

Hersteller: Panasonic
vorrätig
2SK3309(Q)

2SK3309(Q)

Beschreibung: MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SK3367(01)-Z-E1-AZ

2SK3367(01)-Z-E1-AZ

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
2SK3353(0)-Z-E1-AZ

2SK3353(0)-Z-E1-AZ

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
2SK3313(Q)

2SK3313(Q)

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig

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