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DRA2522J0L

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DRA2522J0L
  • Hersteller / Marke
    Panasonic
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DRA2522J0L.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 5mA, 100mA
  • Transistor-Typ
    PNP - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    Mini3-G3-B
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    5 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    270 Ohms
  • Leistung - max
    200mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    DRA2522J0L-ND
    DRA2522J0LTR
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    11 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200mW Surface Mount Mini3-G3-B
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    20 @ 100mA, 10V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    500mA
  • Basisteilenummer
    DRA2522

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DRA2144E0L

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DRA3113Z0L

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DRA2543E0L

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DRA2152Z0L

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DRA2143X0L

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DRA2533Q0L

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DRA2143Z0L

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