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3224479FJ3P02100L-Bild.Panasonic

FJ3P02100L

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$0.538
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FJ3P02100L
  • Hersteller / Marke
    Panasonic
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P CH 20V 4.4A PMCP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    FJ3P02100L.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.05V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    3-PMCP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12.5 mOhm @ 3.7A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    -
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    3-SMD, Non-Standard
  • Andere Namen
    FJ3P02100LCT
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    11 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    3000pF @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    2V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 20V 4.4A (Ta) Surface Mount 3-PMCP
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    4.4A (Ta)

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Das Folgende sind "FJ3P02100L" -Einziper.
IXFX32N50Q

IXFX32N50Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
FDR838P

FDR838P

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDS2170N7

FDS2170N7

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRLU3110ZPBF

IRLU3110ZPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FJ3303010L

FJ3303010L

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI3

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
IPD30N06S4L23ATMA2

IPD30N06S4L23ATMA2

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
NTD30N02G

NTD30N02G

Beschreibung: MOSFET N-CH 24V 30A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RJK4514DPK-00#T0

RJK4514DPK-00#T0

Beschreibung: MOSFET N-CH 450V 22A TO3P

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
SI7804DN-T1-E3

SI7804DN-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2318DS-T1-GE3

SI2318DS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
E3M0120090D

E3M0120090D

Beschreibung: E-SERIES 900V, 120 MOHM, G3 SIC

Hersteller: Cree Wolfspeed
vorrätig
RFQ
IPI14N03LA

IPI14N03LA

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 30A I2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IXFK170N25X3

IXFK170N25X3

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 170A TO264

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
2SK3800VR

2SK3800VR

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V TO-220S

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
IPL60R385CPAUMA1

IPL60R385CPAUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB17N25S3100ATMA1

IPB17N25S3100ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRF3710STRR

IRF3710STRR

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
AON6264E

AON6264E

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 28A 8DFN

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
STP11NM65N

STP11NM65N

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 11A TO-220

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
SUP60N10-18P-E3

SUP60N10-18P-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
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