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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > UNR511D00L

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UNR511D00L-Bild.

Panasonic

UNR511D00L

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Spezifikation

Artikelnummer

UNR511D00L
Hersteller / Marke

Panasonic
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

UNR511D00L.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ

PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

SMini3-G1
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

47 kOhms
Leistung - max

150mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SC-70, SOT-323
Andere Namen

UN511D
UN511DCT
UN511DCT-ND
UNR511D00LCT
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenz - Übergang

80MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 150mW Surface Mount SMini3-G1
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

30 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "UNR511D00L" -Einziper.

UNR5116G0L

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

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