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UNR52A2G0L

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    UNR52A2G0L
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Transistor-Typ
    NPN - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMini3-F2
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    22 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    22 kOhms
  • Leistung - max
    150mW
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-85
  • Andere Namen
    UNR52A2G0LCT
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    150MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 150MHz 150mW Surface Mount SMini3-F2
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    60 @ 5mA, 10V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    80mA
UNR52ALG0L

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3

Hersteller: Panasonic
vorrätig
UNR52AMG0L

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3

Hersteller: Panasonic
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UNR52A5G0L

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3

Hersteller: Panasonic
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UNR52A1G0L

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3

Hersteller: Panasonic
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UNR52A8G0L

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UNR521W00L

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UNR522600L

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UNR52A0G0L

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UNR521WG0L

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UNR521N00L

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UNR521T00L

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UNR52A4G0L

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UNR52A6G0L

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UNR52A3G0L

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UNR52ANG0L

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UNR521NG0L

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UNR521V00L

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UNR52AEG0L

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UNR52AFG0L

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UNR521TG0L

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