Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > R6012625XXYA
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
2721343

R6012625XXYA

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
30+
$86.847
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    R6012625XXYA
  • Hersteller / Marke
    Powerex, Inc.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    R6012625XXYA.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.5V @ 800A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    2600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-205AB, DO-9
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    11µs
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Chassis, Stud Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 2600V 250A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    50mA @ 2600V
  • Strom - Richt (Io)
    250A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "R6012625XXYA" -Einziper.
R6012425XXYA

R6012425XXYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6015ENX

R6015ENX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 15A TO220

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6013-00

R6013-00

Beschreibung: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 1/2"

Hersteller: Harwin
vorrätig
RFQ
R6012225XXYA

R6012225XXYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6011KNX

R6011KNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6012FNX

R6012FNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6011ENX

R6011ENX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 11A TO220

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6012ANX

R6012ANX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6015ANZC8

R6015ANZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6011830XXYA

R6011830XXYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6015ANX

R6015ANX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6012ANJTL

R6012ANJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6012030XXYA

R6012030XXYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6015ANJTL

R6015ANJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6011KNJTL

R6011KNJTL

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6011825XXYA

R6011825XXYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6011ENJTL

R6011ENJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 11A LPT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6012FNJTL

R6012FNJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A LPT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6015ENJTL

R6015ENJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 15A LPT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6012025XXYA

R6012025XXYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.