Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > R6012225XXYA
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
124797

R6012225XXYA

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
30+
$79.309
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    R6012225XXYA
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.5V @ 800A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    2200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-205AB, DO-9
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    11µs
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Chassis, Stud Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 2200V 250A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    50mA @ 2200V
  • Strom - Richt (Io)
    250A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
R6011825XXYA

R6011825XXYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
R6011625XXYA

R6011625XXYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
R6012ANX

R6012ANX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
R6011630XXYA

R6011630XXYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
R6015ANX

R6015ANX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
R6011ENJTL

R6011ENJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 11A LPT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
R6011KNX

R6011KNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
R6011KNJTL

R6011KNJTL

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
R6015ANJTL

R6015ANJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
R6015ANZC8

R6015ANZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
R6011830XXYA

R6011830XXYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
R6012025XXYA

R6012025XXYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
R6012FNJTL

R6012FNJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A LPT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
R6012FNX

R6012FNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
R6012ANJTL

R6012ANJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
R6013-00

R6013-00

Beschreibung: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 1/2"

Hersteller: Harwin
vorrätig
R6012425XXYA

R6012425XXYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
R6011ENX

R6011ENX

Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
R6012625XXYA

R6012625XXYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
R6012030XXYA

R6012030XXYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden