Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > N0412N-S19-AY
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
892435N0412N-S19-AY-Bild.Renesas Electronics America

N0412N-S19-AY

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
1950+
$0.86
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    N0412N-S19-AY
  • Hersteller / Marke
    Renesas Electronics Corporation
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    N0412N-S19-AY.pdf
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.7 mOhm @ 50A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1.5W (Ta), 119W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    5550pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    100nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    40V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 40V 100A (Ta) 1.5W (Ta), 119W (Tc) Through Hole TO-220
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    100A (Ta)

New MCUs Enhance Performance, Efficiency, and Security for ...

2024/10/28

Renesas Expands ADAS SoC Portfolio with R-Car V4M and V4H S...

2024/10/7
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "N0412N-S19-AY" -Einziper.
N04L63W2AB27I

N04L63W2AB27I

Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 48BGA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
N0439N-S19-AY

N0439N-S19-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
IRF1010NSTRR

IRF1010NSTRR

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
N04L63W1AT27I

N04L63W1AT27I

Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FQT1N80TF-WS

FQT1N80TF-WS

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
N04L63W1AB27IT

N04L63W1AB27IT

Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 48BGA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
N046-000

N046-000

Beschreibung: PUNCH-DOWN CABLE INSTALLAT TOOL

Hersteller: Tripp Lite
vorrätig
RFQ
N042-001-04-WH

N042-001-04-WH

Beschreibung: FACEPLATE SNGL GANG 4PORT WHITE

Hersteller: Tripp Lite
vorrätig
RFQ
STW12NK90Z

STW12NK90Z

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 11A TO-247

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
N04L63W2AT27I

N04L63W2AT27I

Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
N044-000-R

N044-000-R

Beschreibung: NETWORK CABLE TESTER

Hersteller: Tripp Lite
vorrätig
RFQ
N040-010-WH

N040-010-WH

Beschreibung: CONN MOD COUPLER 8P8C TO 8P8C

Hersteller: Tripp Lite
vorrätig
RFQ
N04L63W1AB27I

N04L63W1AB27I

Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 48BGA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRF7210TRPBF

IRF7210TRPBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
N0434N-S23-AY

N0434N-S23-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TO-262

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
N0413N-ZK-E1-AY

N0413N-ZK-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
SI2302DDS-T1-GE3

SI2302DDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 20V SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
N042-001-WH

N042-001-WH

Beschreibung: FACEPLATE SNGL GANG 2PORT WHITE

Hersteller: Tripp Lite
vorrätig
RFQ
N04L63W1AT27IT

N04L63W1AT27IT

Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
N04L63W2AT27IT

N04L63W2AT27IT

Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsNachrichtSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.