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SI2302DDS-T1-GE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SI2302DDS-T1-GE3
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CHAN 20V SOT23
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SI2302DDS-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    850mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    57 mOhm @ 3.6A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    710mW (Ta)
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    SI2302DDS-T1-GE3DKR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    27 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.5nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 20V 2.9A (Tj) 710mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    2.9A (Tj)

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SI2304-TP

SI2304-TP

Beschreibung: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
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SI2302A-TP

SI2302A-TP

Beschreibung: N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
SI2301BDS-T1-GE3

SI2301BDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2303CDS-T1-GE3

SI2303CDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2303BDS-T1-E3

SI2303BDS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2302ADS-T1-GE3

SI2302ADS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2302DS,215

SI2302DS,215

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
SI2303BDS-T1

SI2303BDS-T1

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2302ADS-T1-E3

SI2302ADS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2304BDS-T1-E3

SI2304BDS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2304BDS-T1-GE3

SI2304BDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2302ADS-T1

SI2302ADS-T1

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2302-TP

SI2302-TP

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3A SOT-23

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
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SI2303BDS-T1-GE3

SI2303BDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI2302CDS-T1-E3

SI2302CDS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT-23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI2302CDS-T1-GE3

SI2302CDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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SI2301CDS-T1-GE3

SI2301CDS-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI2303CDS-T1-E3

SI2303CDS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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SI2303-TP

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Beschreibung: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
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SI2301CDS-T1-E3

SI2301CDS-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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