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5561105

NP100N04PUK-E1-AY

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NP100N04PUK-E1-AY
  • Hersteller / Marke
    Renesas Electronics Corporation
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NP100N04PUK-E1-AY.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-263
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.3 mOhm @ 50A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1.8W (Ta), 176W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
  • Betriebstemperatur
    175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    7050pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    120nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    40V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 40V 100A (Tc) 1.8W (Ta), 176W (Tc) Surface Mount TO-263
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    100A (Tc)

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Das Folgende sind "NP100N04PUK-E1-AY" -Einziper.
NP1100SCT3G

NP1100SCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 90V 100A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP11

NP11

Beschreibung: PLIERS,11",NAIL PULLING

Hersteller: Apex Tool Group
vorrätig
RFQ
NP109N04PUG-E1-AY

NP109N04PUG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 110A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP1100SAMCT3G

NP1100SAMCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 90V 150A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP109N055PUJ-E2B-AY

NP109N055PUJ-E2B-AY

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP109N04PUJ-E2B-AY

NP109N04PUJ-E2B-AY

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP109N04PUK-E1-AY

NP109N04PUK-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 110A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP1011510000G

NP1011510000G

Beschreibung: 1000 TB SPR CLA 180D B/T

Hersteller: Anytek (Amphenol Anytek)
vorrätig
RFQ
NP100P04PDG-E1-AY

NP100P04PDG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 100A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP110N03PUG-E1-AY

NP110N03PUG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V MP-25ZP/TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP100N055PUK-E1-AY

NP100N055PUK-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 100A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP1100SBMCT3G

NP1100SBMCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 90V 250A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP100P06PDG-E1-AY

NP100P06PDG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 100A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP1100SAT3G

NP1100SAT3G

Beschreibung: THYRISTOR 90V 50A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP109N055PUK-E1-AY

NP109N055PUK-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP109N055PUJ-E1B-AY

NP109N055PUJ-E1B-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP1100SBT3G

NP1100SBT3G

Beschreibung: THYRISTOR 90V 80A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP100P06PLG-E1-AY

NP100P06PLG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 100A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP100P04PLG-E1-AY

NP100P04PLG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 100A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP1100SCMCT3G

NP1100SCMCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 90V 400A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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