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5146746

NP109N055PUJ-E1B-AY-Bild.

Renesas Electronics America

NP109N055PUJ-E1B-AY

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Spezifikation

Artikelnummer

NP109N055PUJ-E1B-AY
Hersteller / Marke

Renesas Electronics Corporation
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NP109N055PUJ-E1B-AY.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-263
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2 mOhm @ 55A, 10V
Verlustleistung (max)

1.8W (Ta), 220W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur

175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10350pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

55V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 55V 110A (Ta) 1.8W (Ta), 220W (Tc) Surface Mount TO-263
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

110A (Ta)

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Das Folgende sind "NP109N055PUJ-E1B-AY" -Einziper.

NP1011510000G

NP1011510000G

Beschreibung: 1000 TB SPR CLA 180D B/T

Hersteller: Anytek (Amphenol Anytek)

vorrätig

NP1100SAMCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 90V 150A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NP1100SBMCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 90V 250A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NP100P04PDG-E1-AY

NP100P04PDG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 100A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

NP11

NP11

Beschreibung: PLIERS,11",NAIL PULLING

Hersteller: Apex Tool Group

vorrätig

NP109N04PUK-E1-AY

NP109N04PUK-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 110A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

NP109N04PUJ-E2B-AY

NP109N04PUJ-E2B-AY

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

NP1100SCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 90V 100A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NP100N04PUK-E1-AY

NP100N04PUK-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

NP1100SAT3G

Beschreibung: THYRISTOR 90V 50A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NP100N055PUK-E1-AY

NP100N055PUK-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 100A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

NP109N055PUJ-E2B-AY

NP109N055PUJ-E2B-AY

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

NP100P04PLG-E1-AY

NP100P04PLG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 100A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

NP100P06PLG-E1-AY

NP100P06PLG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 100A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

NP1100SCMCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 90V 400A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NP1100SBT3G

Beschreibung: THYRISTOR 90V 80A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

NP109N055PUK-E1-AY

NP109N055PUK-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

NP110N03PUG-E1-AY

NP110N03PUG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V MP-25ZP/TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

NP100P06PDG-E1-AY

NP100P06PDG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 100A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

NP109N04PUG-E1-AY

NP109N04PUG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 110A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

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