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NP36P04SDG-E1-AY

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NP36P04SDG-E1-AY
  • Hersteller / Marke
    Renesas Electronics Corporation
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 40V 36A TO-252
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NP36P04SDG-E1-AY.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-252 (MP-3ZK)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17 mOhm @ 18A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1.2W (Ta), 56W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    NP36P04SDG-E1-AY-ND
    NP36P04SDG-E1-AYTR
  • Betriebstemperatur
    175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2800pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    55nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    40V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 40V 36A (Tc) 1.2W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    36A (Tc)

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Das Folgende sind "NP36P04SDG-E1-AY" -Einziper.
NP36P06SLG-E1-AY

NP36P06SLG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 36A TO-252

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP3100SEMCT3G

NP3100SEMCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 275V SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP32N055SDE-E1-AZ

NP32N055SDE-E1-AZ

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP32N055SLE-E1-AZ

NP32N055SLE-E1-AZ

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP3500SBMCT3G

NP3500SBMCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 320V 250A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP33N075YDF-E1-AY

NP33N075YDF-E1-AY

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP36P06KDG-E1-AY

NP36P06KDG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 36A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP32N055SLE-E1-AY

NP32N055SLE-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 32A TO-252

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP3500SAT3G

NP3500SAT3G

Beschreibung: THYRISTOR 320V 50A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP3100SCT3G

NP3100SCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 275V 100A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP3500SCG

NP3500SCG

Beschreibung: THYRISTOR 320V 100A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP3100SDMCT3G

NP3100SDMCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 275V 200A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP3500SCT3G

NP3500SCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 320V 100A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP3500SB1T3G

NP3500SB1T3G

Beschreibung: THYRISTOR 320V 80A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP3500SCMCT3G

NP3500SCMCT3G

Beschreibung: THYRISTOR 320V 400A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP33N06YDG-E1-AY

NP33N06YDG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP3500SBT3G

NP3500SBT3G

Beschreibung: THYRISTOR 320V 80A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP34N055SLE-E1-AY

NP34N055SLE-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 34A TO-252

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP35N04YUG-E1-AY

NP35N04YUG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP36P04KDG-E1-AY

NP36P04KDG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 36A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
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