NP82N04PDG-E1-AY

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Spezifikation

Artikelnummer

NP82N04PDG-E1-AY
Hersteller / Marke

Renesas Electronics Corporation
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 82A TO-263
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NP82N04PDG-E1-AY.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-263
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5 mOhm @ 41A, 10V
Verlustleistung (max)

1.8W (Ta), 143W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur

175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 82A (Tc) 1.8W (Ta), 143W (Tc) Surface Mount TO-263
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

82A (Tc)

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Das Folgende sind "NP82N04PDG-E1-AY" -Einziper.

NP88N04KUG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 88A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

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