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1467507NP83P04PDG-E1-AY-Bild.Renesas Electronics America

NP83P04PDG-E1-AY

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NP83P04PDG-E1-AY
  • Hersteller / Marke
    Renesas Electronics Corporation
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 40V 83A TO-263
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NP83P04PDG-E1-AY.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-263
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.3 mOhm @ 41.5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1.8W (Ta), 150W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    NP83P04PDG-E1-AYCT
    NP83P04PDGE1AY
  • Betriebstemperatur
    175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    9820pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    200nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    40V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 40V 83A (Tc) 1.8W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount TO-263
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    83A (Tc)

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NP88N075KUE-E1-AY

NP88N075KUE-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 88A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
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NP84N075KUE-E1-AY

NP84N075KUE-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 84A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP82N04PUG(1)-E1B-AY

NP82N04PUG(1)-E1B-AY

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP80N055MHE-S18-AY

NP80N055MHE-S18-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO-220

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP80N06MLG-S18-AY

NP80N06MLG-S18-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP80N06PLG-E1B-AY

NP80N06PLG-E1B-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP88N04NUG-S18-AY

NP88N04NUG-S18-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 88A TO-262

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP82N04PDG-E1-AY

NP82N04PDG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 82A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP82N055PUG-E1-AY

NP82N055PUG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 82A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP88N055KUG-E1-AY

NP88N055KUG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 88A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP80N055NDG-S18-AY

NP80N055NDG-S18-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO-262

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP88N04KUG-E1-AY

NP88N04KUG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 88A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP88N075KUE-E1-AZ

NP88N075KUE-E1-AZ

Beschreibung: TRANSISTOR

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vorrätig
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NP83P06PDG-E1-AY

NP83P06PDG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 83A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP82N03PUG-E1-AY

NP82N03PUG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 82A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
NP88N03KDG-E1-AY

NP88N03KDG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 88A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
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NP88N055KUG-E2-AY

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Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
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NP82N04NUG-S18-AY

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Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 82A TO-262

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NP82N10PUF-E1-AY

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Beschreibung: TRANSISTOR

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NP84N075KUE-E2-AY

NP84N075KUE-E2-AY

Beschreibung: TRANSISTOR

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