RJK5033DPP-M0#T2

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Spezifikation

Artikelnummer

RJK5033DPP-M0#T2
Hersteller / Marke

Renesas Electronics Corporation
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 6A TO220
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RJK5033DPP-M0#T2.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220FL
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.3 Ohm @ 3A, 10V
Verlustleistung (max)

27.4W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 25V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 500V 6A (Ta) 27.4W (Tc) Through Hole TO-220FL
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6A (Ta)

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Das Folgende sind "RJK5033DPP-M0#T2" -Einziper.

RJK6012DPP-E0#T2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Hersteller: Renesas Electronics America