RJK6012DPP-E0#T2

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vorrätig

$2.74

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Spezifikation

Artikelnummer

RJK6012DPP-E0#T2
Hersteller / Marke

Renesas Electronics Corporation
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RJK6012DPP-E0#T2.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220FP
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

920 mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max)

30W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 10A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

10A (Ta)

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Das Folgende sind "RJK6012DPP-E0#T2" -Einziper.

RJK6015DPM-00#T1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 21A TO3PFM

Hersteller: Renesas Electronics America