UPA2813T1L-E1-AT

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Spezifikation

Artikelnummer

UPA2813T1L-E1-AT
Hersteller / Marke

Renesas Electronics Corporation
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

-
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-HVSON (3x3.3)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.2 mOhm @ 27A, 10V
Verlustleistung (max)

1.5W (Ta), 52W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Betriebstemperatur

-
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3130pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 27A (Tc) 1.5W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount 8-HVSON (3x3.3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

27A (Tc)

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "UPA2813T1L-E1-AT" -Einziper.

UPA2793GR(01)-E2-AY

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

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