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UPA2816T1S-E2-AT

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    UPA2816T1S-E2-AT
  • Hersteller / Marke
    Renesas Electronics Corporation
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 30V 17A 8HWSON
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    UPA2816T1S-E2-AT.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (Max)
    +20V, -25V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-HWSON (3.3x3.3)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15.5 mOhm @ 17A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1.5W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-PowerWDFN
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1160pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    33.4nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 30V 17A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    17A (Tc)

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Das Folgende sind "UPA2816T1S-E2-AT" -Einziper.
UPA801T-A

UPA801T-A

Beschreibung: RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
UPA2813T1L-E1-AT

UPA2813T1L-E1-AT

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
UPA2793GR(0)-E2-AY

UPA2793GR(0)-E2-AY

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
UPA2820T1S-E2-AT

UPA2820T1S-E2-AT

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8HVSON

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
UPA2812T1L-E1-AT

UPA2812T1L-E1-AT

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
UPA672T-T1-A

UPA672T-T1-A

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 0.1A SC-88

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
UPA2793GR(01)-E2-AY

UPA2793GR(01)-E2-AY

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
UPA2821T1L-E1-AT

UPA2821T1L-E1-AT

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 26A 8HVSON

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
UPA2825T1S-E2-AT

UPA2825T1S-E2-AT

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8HVSON

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
UPA2792GR(0)-E1-AZ

UPA2792GR(0)-E1-AZ

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
UPA2812T1L-E2-AT

UPA2812T1L-E2-AT

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
UPA800T-A

UPA800T-A

Beschreibung: RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
UPA2822T1L-E1-AT

UPA2822T1L-E1-AT

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 34A 8HVSON

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
UPA2814T1S-E2-AT

UPA2814T1S-E2-AT

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 24A 8HWSON

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
UPA800T-T1-A

UPA800T-T1-A

Beschreibung: RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
UPA2794GR(0)-E1-AZ

UPA2794GR(0)-E1-AZ

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
UPA2815T1S-E2-AT

UPA2815T1S-E2-AT

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
UPA2813T1L-E2-AT

UPA2813T1L-E2-AT

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
UPA800T-T1

UPA800T-T1

Beschreibung: TRANS NPN HF FT=8GHZ SOT-363

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
UPA3753GR-E1-AT

UPA3753GR-E1-AT

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP

Hersteller: Renesas Electronics America
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