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UPA2816T1S-E2-AT

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Spezifikation

Artikelnummer

UPA2816T1S-E2-AT
Hersteller / Marke

Renesas Electronics Corporation
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 17A 8HWSON
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

UPA2816T1S-E2-AT.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

+20V, -25V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-HWSON (3.3x3.3)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

15.5 mOhm @ 17A, 10V
Verlustleistung (max)

1.5W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerWDFN
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1160pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33.4nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 17A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

17A (Tc)

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Das Folgende sind "UPA2816T1S-E2-AT" -Einziper.

UPA801T-A

Beschreibung: RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)