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5636227BYW29G-200-TR-Bild.STMicroelectronics

BYW29G-200-TR

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  • Artikelnummer
    BYW29G-200-TR
  • Hersteller / Marke
    STMicroelectronics
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    BYW29G-200-TR.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.15V @ 10A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    D2PAK
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    35ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    497-3778-2
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 8A Surface Mount D2PAK
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    8A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
  • Basisteilenummer
    BYW29-200

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024/09/27
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Das Folgende sind "BYW29G-200-TR" -Einziper.
BYW36-TR

BYW36-TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BYW29E-150,127

BYW29E-150,127

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 8A TO220AC

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
RFQ
BYW29ED-200,118

BYW29ED-200,118

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
RFQ
BYW32-TR

BYW32-TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BYW29E-100,127

BYW29E-100,127

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
RFQ
BYW36-TAP

BYW36-TAP

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BYW29-50-E3/45

BYW29-50-E3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BYW34-TR

BYW34-TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BYW35-TAP

BYW35-TAP

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 500V 2A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BYW35-TR

BYW35-TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 500V 2A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BYW33-TAP

BYW33-TAP

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 300V 2A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BYW29-200HE3/45

BYW29-200HE3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BYW34-TAP

BYW34-TAP

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BYW32-TAP

BYW32-TAP

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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BYW33-TR

BYW33-TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 300V 2A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BYW29-50HE3/45

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BYW29-200-E3/45

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BYW29-200G

BYW29-200G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
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BYW29E-200,127

BYW29E-200,127

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
RFQ
BYW29EX-200,127

BYW29EX-200,127

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220F

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
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