Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > BYW34-TAP
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
641297BYW34-TAP-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

BYW34-TAP

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
25000+
$0.196
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    BYW34-TAP
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOD-57
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    200ns
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOD-57, Axial
  • Andere Namen
    BYW34-TAP-ND
    BYW34-TAPGITB
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Avalanche
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Avalanche 400V 2A Through Hole SOD-57
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    2A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
BYW51G-200

BYW51G-200

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 10A D2PAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
BYW29E-200,127

BYW29E-200,127

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
BYW51FP-200

BYW51FP-200

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220FP

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
BYW34-TR

BYW34-TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BYW33-TR

BYW33-TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 300V 2A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BYW35-TR

BYW35-TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 500V 2A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BYW51-200

BYW51-200

Beschreibung:

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
BYW33-TAP

BYW33-TAP

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 300V 2A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BYW36-TR

BYW36-TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BYW29G-200-TR

BYW29G-200-TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
BYW32-TR

BYW32-TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BYW4200B-TR

BYW4200B-TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
BYW29ED-200,118

BYW29ED-200,118

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
BYW32-TAP

BYW32-TAP

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BYW29E-150,127

BYW29E-150,127

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 8A TO220AC

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
BYW36-TAP

BYW36-TAP

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BYW29EX-200,127

BYW29EX-200,127

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220F

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
BYW35-TAP

BYW35-TAP

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 500V 2A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
BYW29E-100,127

BYW29E-100,127

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
BYW51-200G

BYW51-200G

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden