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STB18NF30-Bild.

STMicroelectronics

STB18NF30

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Spezifikation

Artikelnummer

STB18NF30
Hersteller / Marke

STMicroelectronics
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 330V 18A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

STB18NF30.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D2PAK
Serie

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

180 mOhm @ 9A, 10V
Verlustleistung (max)

150W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

497-12970-2
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

38 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1650pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

330V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 330V 18A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

18A (Tc)

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Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

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Hersteller: STMicroelectronics

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Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK

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STB200N6F3

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

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Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 15A D2PAK

Hersteller: STMicroelectronics

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK

Hersteller: STMicroelectronics

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STB170NF04

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STB200N4F3

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STB180N55F3

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK

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STB18NM60ND

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Hersteller: STMicroelectronics

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STB190NF04T4

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