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STB18NM80-Bild.

STMicroelectronics

STB18NM80

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Spezifikation

Artikelnummer

STB18NM80
Hersteller / Marke

STMicroelectronics
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

STB18NM80.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D2PAK
Serie

MDmesh™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

295 mOhm @ 8.5A, 10V
Verlustleistung (max)

190W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

497-10117-2
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

42 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2070pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

800V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 800V 17A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

17A (Tc)

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Hersteller: STMicroelectronics

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V D2PAK

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Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK

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Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK

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Beschreibung: MOSFET N-CH 550V 13A D2PAK

Hersteller: STMicroelectronics

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STB18N60DM2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A

Hersteller: STMicroelectronics

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STB185N55F3

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK

Hersteller: STMicroelectronics

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STB18N65M5

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK

Hersteller: STMicroelectronics

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STB18NM60ND

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK

Hersteller: STMicroelectronics

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Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

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Hersteller: STMicroelectronics

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