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STB70N10F4-Bild.

STMicroelectronics

STB70N10F4

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Spezifikation

Artikelnummer

STB70N10F4
Hersteller / Marke

STMicroelectronics
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

STB70N10F4.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D2PAK
Serie

DeepGATE™, STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

19.5 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)

150W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

85nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 65A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

65A (Tc)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK

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Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A D2PAK

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK

Hersteller: STMicroelectronics

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