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STB70NH03LT4-Bild.

STMicroelectronics

STB70NH03LT4

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Spezifikation

Artikelnummer

STB70NH03LT4
Hersteller / Marke

STMicroelectronics
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 60A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

STB70NH03LT4.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D2PAK
Serie

STripFET™ III
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)

858W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 60A (Tc) 858W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

60A (Tc)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK

Hersteller: STMicroelectronics

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V DPAK

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Hersteller: STMicroelectronics

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