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STFH40N60M2-Bild.

STMicroelectronics

STFH40N60M2

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Spezifikation

Artikelnummer

STFH40N60M2
Hersteller / Marke

STMicroelectronics
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

STFH40N60M2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220FP
Serie

MDmesh™ M2
Rds On (Max) @ Id, Vgs

88 mOhm @ 17A, 10V
Verlustleistung (max)

40W (Tc)
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Hersteller Standard Vorlaufzeit

42 Weeks
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

57nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 34A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

34A (Tc)

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STFI10NK60Z

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STFI10N62K3

Beschreibung: MOSFET N CH 620V 8.4A I2PAKFP

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STFI13N60M2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V I2PAK-FP

Hersteller: STMicroelectronics

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STFH18N60M2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP

Hersteller: STMicroelectronics

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STF9NK60ZD

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FP

Hersteller: STMicroelectronics

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Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 7.5A TO-220FP

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Beschreibung: MOSFET NCH 600V 7.5A TO220

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STFI11N60M2-EP

STFI11N60M2-EP

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V I2PAK-FP

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