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STFI11NM65N-Bild.

STMicroelectronics

STFI11NM65N

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Spezifikation

Artikelnummer

STFI11NM65N
Hersteller / Marke

STMicroelectronics
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

STFI11NM65N.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

I2PAKFP (TO-281)
Serie

MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

455 mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (max)

25W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Andere Namen

497-13388-5
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 650V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11A (Tc)

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STFI15N60M2-EP

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP

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STFI11N60M2-EP

STFI11N60M2-EP

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V I2PAK-FP

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STFI13N60M2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V I2PAK-FP

Hersteller: STMicroelectronics

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STFI130N10F3

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 46A I2PAKFP

Hersteller: STMicroelectronics

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STFI13NM60N

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK FP

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STFI14N80K5

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Hersteller: STMicroelectronics

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STFH18N60M2

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Hersteller: STMicroelectronics

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Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 12A I2PAK-FP

Hersteller: STMicroelectronics

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STFH13N60M2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP

Hersteller: STMicroelectronics

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STFI10LN80K5

STFI10LN80K5

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 8A I2PAKFP

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Beschreibung: MOSFET

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STFI10N62K3

Beschreibung: MOSFET N CH 620V 8.4A I2PAKFP

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STFI13N65M2

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