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STH260N6F6-6-Bild.

STMicroelectronics

STH260N6F6-6

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Spezifikation

Artikelnummer

STH260N6F6-6
Hersteller / Marke

STMicroelectronics
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

STH260N6F6-6.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

H2PAK-6
Serie

DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4 mOhm @ 60A, 10V
Verlustleistung (max)

300W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Andere Namen

497-15144-2
STH260N6F6-6-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

38 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

183nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

180A (Tc)

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Beschreibung: MOSFET N CH 75V 180A H2PAK-2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6

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STH210N75F6-2

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2

Hersteller: STMicroelectronics

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STH270N8F7-2

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2

Hersteller: STMicroelectronics

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STH260N6F6-2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2

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