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2410499STH275N8F7-6AG-Bild.STMicroelectronics

STH275N8F7-6AG

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  • Artikelnummer
    STH275N8F7-6AG
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    H2PAK-6
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.1 mOhm @ 90A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    315W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Andere Namen
    497-15474-2
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    38 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    13600pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    193nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    80V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 80V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    180A (Tc)
STH270N4F3-2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2

Hersteller: STMicroelectronics
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STH260N6F6-6

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6

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STH310N10F7-2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2

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STH290N4F6-6AG

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Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6

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STH260N6F6-2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK

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STH270N8F7-2

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STH290N4F6-6

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STH272N6F7-6AG

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STH320N4F6-2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2

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STH310N10F7-6

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STH315N10F7-2

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STH270N8F7-6

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STH270N4F3-6

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