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4603661VND7N04TR-E-Bild.STMicroelectronics

VND7N04TR-E

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    VND7N04TR-E
  • Hersteller / Marke
    STMicroelectronics
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET OMNIFET 42V 7A DPAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    VND7N04TR-E.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Versorgung (Vcc / Vdd)
    Not Required
  • Spannung - Last
    31V (Max)
  • Schaltertyp
    General Purpose
  • Supplier Device-Gehäuse
    DPAK
  • Serie
    OMNIFET II™, VIPower™
  • Rds On (Typ)
    140 mOhm (Max)
  • Verhältnis - Eingang: Ausgang
    1:1
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Ausgabetyp
    N-Channel
  • Ausgangskonfiguration
    Low Side
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Anzahl der Ausgänge
    1
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Schnittstelle
    On/Off
  • Eingabetyp
    Non-Inverting
  • Eigenschaften
    -
  • Fehlerschutz
    Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
  • Strom - Ausgabe (max)
    4A
  • Basisteilenummer
    VN*7N

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

2024/09/27
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Das Folgende sind "VND7N04TR-E" -Einziper.
VND7N04

VND7N04

Beschreibung: MOSFET POWER 42V 7A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
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VND810

VND810

Beschreibung: IC DRVR HISIDE 2CH 16-SOIC

Hersteller: STMicroelectronics
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RFQ
VND7140AJTR-E

VND7140AJTR-E

Beschreibung: IC DVR HIGH-SIDE 2CH POWERSSO-16

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND810MSP

VND810MSP

Beschreibung: IC DRVR HISIDE 2CH POWERSO10

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND7N04-E

VND7N04-E

Beschreibung: MOSFET OMNIFET 42V 7A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND7140AJ12TR-E

VND7140AJ12TR-E

Beschreibung: IC DVR HIGH-SIDE 2CH POWERSSO-12

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND7NV04-1

VND7NV04-1

Beschreibung: MOSFET POWER 40V 6A IPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND7NV04TR-E

VND7NV04TR-E

Beschreibung: MOSFET POWER 40V 6A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND7N04-1

VND7N04-1

Beschreibung: MOSFET POWER 42V 7A IPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND7140AJ12TR

VND7140AJ12TR

Beschreibung: IC DVR HIGH-SIDE 2CH POWERSSO-12

Hersteller: STMicroelectronics
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RFQ
VND7NV0413TR

VND7NV0413TR

Beschreibung: MOSFET POWER 40V 6A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND7NV04-1-E

VND7NV04-1-E

Beschreibung: MOSFET OMNIFETII 40V 6A IPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND7N04-1-E

VND7N04-1-E

Beschreibung: MOSFET OMNIFET 42V 7A IPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND7NV04

VND7NV04

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 6A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND7NV04-E

VND7NV04-E

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 6A TO252

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
VND7140AJTR

VND7140AJTR

Beschreibung: IC DVR HIGH SIDE 2CH POWERSSO16

Hersteller: STMicroelectronics
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RFQ
VND7140AJ-E

VND7140AJ-E

Beschreibung: IC DVR HIGH-SIDE 2CH POWERSSO16

Hersteller: STMicroelectronics
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RFQ
VND7N0413TR

VND7N0413TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 6A DPAK

Hersteller: STMicroelectronics
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RFQ
VND81013TR

VND81013TR

Beschreibung: IC DRVR HISIDE 2CH 16-SOIC

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VND810-E

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Beschreibung: IC DRIVER HIGH SIDE 2CH 16-SOIC

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